Введение......3Глава 1. СВЧ плазменные технологии при создании микро- и наноструктур изделий электронной техники (С. В. Бордусов
С. И. Мадвейко
М. С. Лушакова)......51.1. Процессы удаления материала с поверхности твердого тела......51.2. Получение тонких пленок на поверхности твердого тела......141.3. Модификация структуры поверхностных слоев твердых тел......191.4. Применение СВЧ энергии при производстве изделий электронной техники и тенденции развития процессов СВЧ плазменной обработки......21Список использованных источников к главе 1......28Глава 2. Формирование ячеек сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти (А. П. Достанко
Д. А. Голосов
С. И. Завадский
В. В. Колос
С. Н. Мельников
В. А. Солодуха)......332.1. Свойства сегнетоэлектриков и их использование в технологии интегральных схем......332.2. Сегнетоэлектрические ячейки памяти FeRAM......372.3. Схема ячейки 1T/1C......392.4. Cхема ячейки 2T/2C......412.5. Схема ячейки 1Т FeRAM (FeFET)......452.6. Структуры ячеек памяти FeRAM......492.7. Интеграция сегнетоэлектриков в полупроводниковую технологию......512.8. Сегнетоэлектрические материалы конденсаторной структуры......552.9. Методы нанесения сегнетоэлектрических тонких пленок......602.10. Кристаллизационный отжиг......712.11. Травление конденсаторных структур......76Список использованных источников к главе 2......85Глава 3. Формирование субмикронных функциональных слоев в микроэлектронных изделиях (Е. В. Телеш)......923.1. Формирование тонкопленочных слоев из диборидов циркония и гафния......923.2. Ионно-лучевой синтез гетероструктур «металл–арсенид галлия»......1003.3. Ионно-лучевой синтез гетероструктур «диэлектрик–арсенид галлия»......1103.4. Формирование межуровневого диэлектрика прямым осаждением из ионных потоков......123Список использованных источников к главе 3......131Глава 4. Бессвинцовые материалы для контактных соединений в изделиях электроники (В. Л. Ланин)......1334.1. Анализ составов бессвинцовых материалов
применяемых для формирования контактных соединений в изделиях электроники......1334.2. Получение модифицированных бессвинцовых материалов с адгезионно-активными добавками при интенсифицирующих воздействиях......1424.3. Исследование влияния адгезионно-активных добавок на механические и электрофизические свойства бессвинцовых материалов......1454.4. Рекомендации по практическому применению результатов исследований......148Список использованных источников к главе 4......151Глава 5. Технологические процессы и оборудование для сборки многокристальных модулей (И. Б. Петухов)......1535.1. Технология сборки многокристальных гибридных интегральных модулей и систем в корпусе......1535.2. Методика выбора способов контактных межсоединений в многокристальных модулях......1615.3. Технология flip-chip в 2
5D и 3D конструкциях многокристальных модулей......1715.4. Отечественное и зарубежное оборудование для сборки многокристальных модулей......178Список использованных источников к главе 5......187Глава 6. Лазерная активация электрохимических процессов формирования субмикронных структур (А. Н. Купо)......1886.1. Методы и устройства лазерной электрохимической обработки......1886.2. Моделирование тепловых и фотохимических процессов лазерной активации электрохимической обработки......1916.3. Экспериментальное исследование электрохимических процессов формирования субмикронных структур с лазерной активацией......2006.4. Рекомендации по практическому использованию лазерных электрохимических процессов......208Список использованных источников к главе 6......213Глава 7. Диагностика субмикронных структур полупроводниковой микроэлектроники (А. Н. Петлицкий)......2147.1. Измерение удельного сопротивления и концентрации легирующей примеси в полупроводниковых материалах и структурах......2147.2. Измерение подвижности носителей заряда......2237.3. Определение времени жизни неосновных носителей заряда......2297.4. Определение заряда
плотности поверхностных состояний
толщины диэлектрика в МДП-структурах......2367.5. Измерение электрических характеристик базовых элементов субмикронных микросхем......249Список использованных источников к главе 7......267