Лабораторная работа № 1. Измерение удельного сопротивления пластин
эпитаксиальных и металлизационных слоев четырехзондовым методом......5Лабораторная работа № 2. Определение параметров структур «металл–диэлектрик–полупроводник» (МДП) по измерению высокочастотных вольт-фарадных характеристик......13Лабораторная работа № 3. Определение параметров структур «металл–диэлектрик–полупроводник» (МДП) по измерению низкочастотных вольт-фарадных характеристик......21Лабораторная работа № 4. Определение профиля распределения примесей по измерению вольт-фарадных характеристик диодов Шотки......25Лабораторная работа № 5. Определение сопротивления
концентрации и подвижности двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах методом Ван-дер-Пау......28Лабораторная работа № 6. Контроль толщины кремния в КНС- и КНИ-структурах......32Лабораторная работа № 7. Определение структурных дефектов в полупроводниковых материалах......38Лабораторная работа № 8. Метод рентгеновской дифрактометрии......47Лабораторная работа № 9. Метод растровой электронной микроскопии......55Лабораторная работа № 10. Построение карт «желтой» фотолюминесценции гетероструктур AlGaN/GaN......66Лабораторная работа № 11. Контроль полупроводниковых структур при помощи микроинтерферометра МИИ-4......69Лабораторная работа № 12. Определение параметров диэлектрических покрытий методом эллипсометрии......74Лабораторная работа № 13. Определение оптических констант металлических пленок методом эллипсометрии......81Лабораторная работа № 14. Определение толщины тонких металлических пленок методом эллипсометрии......84Лабораторная работа № 15. Определение структурных дефектов в пластинах SiC поляризационным методом......90