Рассматриваются вопросы моделирования электронных средств в задачах обеспечения внутриаппаратурной электромагнитной совместимости, основные программные средства и их возможности при проектировании печатных плат. Впервые в отечественной литературе детально рассмотрены IBIS-модели интегральных микросхем. Описаны ключевые слова и правила составления спецификации IBIS для интегральных компонентов, даны рекомендации по практическому применению IBIS-моделей, в том числе в составе коммерческих пакетов. Значительное внимание уделено теории и практике экспериментального определения характеристик для IBIS-моделей. Книга будет полезна техническим специалистам, занятым проектированием печатных плат, в том числе с применением современных САПР. Издание можно рекомендовать в качестве учебного пособия бакалаврам, магистрам и аспирантам соответствующих направлений.

  Литрес - 490 руб.

Предисловие
Список сокращений
1. Анализ методов моделирования цифровых
устройств
1.1. Цифровые устройства как объект
моделирования
1.1.1. Классификация электронных устройств
1.1.2. Моделирование в процессе проектирования
цифровых устройств
1.2. Методы моделирования цифровых устройств
1.2.1. Классификация математических моделей
1.2.2. Современные подходы к моделированию
цифровых устройств
1.3. Особенности физической реализации цифровых
устройств
1.3.1. Характеристики интегральных микросхем
1.3.2. Программные средства для автоматизации
анализа целостности сигналов
2. IBIS -модели и спецификация IBIS для микросхем
2.1. Общие сведения о спецификации IBIS
2.1.1. Развитие IBIS-формата представления
данных о характеристиках ИМС
2.1.2. Синтаксические правила составления
IBIS-файлов
2.1.3. Структура файлов *.ibs
2.2. Классификация IBIS-моделей буферов ИМС
2.2.1. Основные модели
2.2.2. Дополнительные модели
3. Ключевые слова и составление спецификации
IBIS для интегральных компонентов
3.1. Назначение и правила использования
ключевых слов в IBIS-спецификации ИМС
3.1.1. Ключевые слова, указывающие технические
сведения о файле
3.1.2. Ключевые слова, используемые для
описания электрических характеристик корпусов
ИМС, внутренних шин питания и определения
взаимосвязанных выводов микросхем
3.1.3. Ключевые слова, используемые для
описания моделей буферов ИМС
3.1.4. Ключевые слова, используемые для
описания дополнительных моделей
3.1.5. Ключевые слова, используемые для
описания динамических свойств выходных
буферов, параметров измерительной оснастки и
нагрузки при экспериментальном определении
временных характеристик
3.2. Использование ключевых слов в спецификации
моделей разных типов
3.3. Методика построения спецификации в формате
IBIS на основе экспериментальных исследований
ИМС
4. Практическое применение IBIS-моделей ИМС
4.1. Приоритетность параметров спецификации
4.2. Аппроксимация таблично заданных
характеристик
4.2.1. Подбор эмпирических формул графическим
методом
4.2.2. Полиномы Лагранжа и схема Эйткена
4.2.3. Определение параметров моделей диодов
при подготовке данных для моделирования
4.3. Приведение сигналов к нормированному виду
4.4. Переход от текстового описания модели ИМС к
ее схеме замещения и выполнение моделирования
ЦУ с использованием IBIS-моделей
4.4.1. Классификация ключевых слов и параметров
по применимости для построения схем замещения
ИМС
4.4.2. Структура схем замещения ИМС.
Организация взаимосвязанного функционирования
буферов микросхем
4.4.3. Построение схем замещения ИМС на
основании спецификации
4.4.4. Косвенно используемые параметры и их
адаптация при подготовке данных для
моделирования
4.4.5. Функции управления ключами выходных
буферов ИМС
4.4.6. Моделирование ЦУ с использованием
IBIS-моделей
4.5. Использование IBIS-моделей в
специализированных САПР на примере программы
Signal Integrity пакета P-CAD20xx
4.5.1. Назначение и особенности программы
4.5.2. Результаты анализа паразитных эффектов
на ПП на примере демонстрационного проекта
4.6. Расширенное применение IBIS-моделей
5. Экспериментальное определение характеристик
для IBIS-моделей ИМС
5.1. Общие требования и особенности методик
экспериментального определения характеристик
для построения спецификации IBIS
5.2. Качественные характеристики IBIS-моделей и
их определение
5.3. Определение численных характеристик для
составления спецификации IBIS
5.3.1. Общие требования
5.3.2. Определение паразитных характеристик
выводов ИМС
5.3.3. Определение значений параметров vdiff и
tdelay ключевого слова [Diff Pin] и характеристик
Vdiff_ac и Vdif f_dc дифференциального буфера
5.3.4. Определение значений параметров
ключевого слова [Model]
5.3.5. Определение значений параметров
ключевого слова [Model Spec]
5.3.6. Определение численных значений
параметров ключевого слова [Receiver Threshold]
5.3.7. Определение температурного интервала и
напряжений на шинах питания
5.3.8. Измерение времен транзита TTpower и TTgnd
5.3.9. Снятие табулированных характеристик
[Pulldown], [Pullup], [GND Clamp], [POWER Clamp]
5.3.10. Измерение характеристик для модели типа
Terminator
5.3.11. Определение значений тока, заносимых в
таблицу под ключевым словом [Series Current]
5.3.12. Экспериментальное определение тока
через связь между выводами, образованную парой
КМОП-ключей
5.3.13. Определение динамических характеристик
выходных буферов
5.4. Определение структуры и характеристик
пассивной электрической связи между выводами
ИМС на основе частотного анализа
5.4.1. Виды моделей пассивных электрических
связей
5.4.2. Идентификация структуры пассивной связи
5.4.3. Определение характеристик элементов цепи,
образующей пассивную связь
5.5. Вопросы в области экспериментального
определения характеристик для построения
IBIS-моделей, требующие дополнительной
проработки
Литература
Библиотека электромагнитной совместимости