Список условных сокращений......8Введение......10Глава 1. Исследование направлений и путей развития сложно-функциональных изделий микроэлектроники
проектирование РЭА на основе СБИС типа «система на кристалле»......351.1. Исследования направлений и путей развития сложнофункциональных изделий микроэлектроники
их функционального состава и характеристик......371.2. Особенности конструирования СБИС типа «система на кристалле»
основные проектные платформы СБИС типа «система на кристалле»......381.2.1. Процессорные ядра и СФ-блоки многократного использования......471.2.2. СБИС типа «система на кристалле» на базе реконфигурируемых структур......491.2.3. Встраиваемые программируемые логические ядра......581.2.4. Аналоговые функциональные блоки и блоки со смешанной обработкой сигнала для СБИС типа «система на кристалле»......581.2.5. СФ-блоки цифровых приемников/передатчиков типа «система на кристалле»......58Выводы к главе 1......59Глава 2. Разработка и обеспечение реализации научно-методических принципов управления научно-техническим уровнем высокоинтегрированных электронных систем......652.1. Системный анализ физико-технологических ограничений реализации развития технического уровня сложнофункциональных микроэлектронных систем......672.2. Анализ функциональной полноты и достаточности разрабатываемых и планируемых к разработке СФ-блоков для проектируемых СнК в обеспечение РЭА......712.2.1. Структурные решения СБИС типа «система на кристалле»
направления их развития и опыт реализации......732.2.2. Определение степени применяемости СФ-блоков......882.3. Оценка достаточности действующей НТД по разработке и производству СБИС типа СнК с использованием СФ-блоков......942.3.1. Направления перспективных работ по созданию нормативных документов по СФ-блокам и СБИС типа СнК в интересах РЭА......1012.4. Организация разработки СБИС типа «система на кристалле» на основе СФ-блоков......1042.4.1. Инфраструктура разработки СБИС типа СнК......1072.4.2. Основные методические этапы по развитию инфраструктуры проектирования СФ-блоков и СнК......1142.4.3. Современные подходы к проектированию СБИС с топологическими нормами 0
18—0
25 мкм и последующим переходом в нанометровые области......1162.5. Применение статистического метода для анализа и прогнозирования развития проектно-технологического базиса сложнофункциональных СБИС......125Выводы к главе 2......133Глава 3. Формирование унифицированной номенклатуры СФ-блоков по технологии КМОП/КНС для создания радиационно-стойких СБИС типа «система на кристалле»......1363.1. Анализ направлений и путей развития в области проектирования и изготовления сложнофункциональных изделий микроэлектроники типа СБИС «система на кристалле» на основе СФ-блоков
анализ проектно-технологических возможностей по их реализации......1383.1.1. Исследование архитектурно-структурных решений СБИС типа СнК......1433.2. Специальные требования к СФ-блокам СБИС типа «система на кристалле»
предназначенным для работы в аппаратуре космических аппаратов с длительным сроком эксплуатации......1483.3. Тенденции развития СБИС для бортовой космической аппаратуры. Выбор и обоснование технологии
обеспечивающей изготовление СБИС типа «система на кристалле» для космических аппаратов с длительным сроком эксплуатации......152Выводы к главе 3......159Глава 4. Исследования по созданию технологии производства структур с ультратонкими слоями кремния на сапфире......1624.1. Анализ современного состояния технологий производства КНС структур с ультратонким эпитаксиальным слоем кремния и КМОП-микросхем на основе КНС структур с ультратонким слоем кремния......1634.2. Создание СБИС
в том числе типа «система на кристалле»
и СФ-блоков для них по технологии КМОП/КНС аппаратуры управления ракетно-космической техники и автоматики специального назначения......1754.3. Разработка и создание технологии КНС структур с ультратонкими слоями кремния и проектных решений для реализации КМОП/КНС СБИС на их основе......176Выводы к главе 4......178Заключение......182Литература......190Приложения......199Приложение А (Справочно-аналитическое). Научно-методические рекомендации (аннотировано). Исследование и разработка методов физико-технического и нормативно-методического контроля технического уровня СБИС с предельными топологическими нормами......199Приложение Б. Информационная среда проектирования. Методические рекомендации. Состав и основное содержание разделов справочно-информационного листа для описания СФ-блоков на различных этапах интеграции в СБИС и требования к содержанию заявки на разработку СБИС типа «система на кристалле»......206Приложение В (аннотировано). Информационная среда проектирования. Методические рекомендации по правилам заказа на изготовление СБИС в режиме Foundry......237